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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。27191+￥41.234810+￥38.8689100+￥37.1113250+￥36.8409500+￥36.57051000+￥36.26632500+￥35.99595000+￥35.8269 -
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品类: IGBT晶体管描述: STGW20NC60V 系列 600 V 30 A 法兰安装 极快速 IGBT - TO-24786905+￥5.738925+￥5.313850+￥5.0162100+￥4.8887500+￥4.80362500+￥4.69745000+￥4.654810000+￥4.5911 -
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品类: IGBT晶体管描述: 1200V,15A,H系列,高速沟槽型场截止IGBT70735+￥19.802350+￥18.9560200+￥18.4821500+￥18.36361000+￥18.24522500+￥18.10985000+￥18.02517500+￥17.9405 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。85585+￥21.035450+￥20.1365200+￥19.6331500+￥19.50721000+￥19.38142500+￥19.23755000+￥19.14767500+￥19.0577 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 140000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube84405+￥11.784250+￥11.2806200+￥10.9986500+￥10.92811000+￥10.85762500+￥10.77705000+￥10.72677500+￥10.6763 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed33461+￥57.974410+￥54.6480100+￥52.1770250+￥51.7968500+￥51.41661000+￥50.98902500+￥50.60885000+￥50.3712 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。54895+￥27.089050+￥25.9314200+￥25.2831500+￥25.12101000+￥24.95892500+￥24.77375000+￥24.65797500+￥24.5422 -
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品类: IGBT晶体管描述: 30 A - 1200 V - 短路崎岖IGBT 30 A - 1200 V - short circuit rugged IGBT81335+￥13.348550+￥12.7781200+￥12.4586500+￥12.37881000+￥12.29892500+￥12.20765000+￥12.15067500+￥12.0935 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT-沟槽型场截止-650V-60A-258W-通孔-TO-24790291+￥37.236810+￥35.1003100+￥33.5132250+￥33.2690500+￥33.02481000+￥32.75012500+￥32.50595000+￥32.3533 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGWA30M65DF2 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 引脚39515+￥12.736650+￥12.1923200+￥11.8875500+￥11.81131000+￥11.73512500+￥11.64805000+￥11.59367500+￥11.5392 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 240000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube55091+￥41.722810+￥39.3289100+￥37.5505250+￥37.2769500+￥37.00331000+￥36.69552500+￥36.42195000+￥36.2509 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。22925+￥25.142150+￥24.0677200+￥23.4660500+￥23.31561000+￥23.16512500+￥22.99325000+￥22.88587500+￥22.7783 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube35871+￥38.486110+￥36.2779100+￥34.6375250+￥34.3851500+￥34.13281000+￥33.84892500+￥33.59655000+￥33.4388 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1250V 60A 375000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube79155+￥24.580550+￥23.5301200+￥22.9418500+￥22.79481000+￥22.64772500+￥22.47965000+￥22.37467500+￥22.2695 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300000mW Tube22885+￥17.753650+￥16.9949200+￥16.5700500+￥16.46381000+￥16.35762500+￥16.23625000+￥16.16037500+￥16.0844 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 278000mW Tube38575+￥28.976250+￥27.7379200+￥27.0445500+￥26.87111000+￥26.69772500+￥26.49965000+￥26.37587500+￥26.2520 -
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品类: IGBT晶体管描述: ROHM RGTH00TS65DGC11 单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚19531+￥51.615810+￥48.6542100+￥46.4542250+￥46.1157500+￥45.77731000+￥45.39652500+￥45.05805000+￥44.8465 -
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品类: IGBT晶体管描述: 600V ， 75A场截止IGBT 600V, 75A Field Stop IGBT57641+￥48.950110+￥46.1415100+￥44.0551250+￥43.7341500+￥43.41311000+￥43.05202500+￥42.73105000+￥42.5304 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 540000mW 3Pin(3+Tab) TO-24750161+￥41.725210+￥39.3312100+￥37.5527250+￥37.2791500+￥37.00551000+￥36.69772500+￥36.42415000+￥36.2531 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 超过 21A，Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。86521+￥62.649710+￥59.9258100+￥59.4355250+￥59.0542500+￥58.45491000+￥58.18252500+￥57.80125000+￥57.4743 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IGW50N65H5 单晶体管, IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 引脚74095+￥20.297250+￥19.4298200+￥18.9440500+￥18.82261000+￥18.70112500+￥18.56245000+￥18.47567500+￥18.3889 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 179000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube85935+￥32.643050+￥31.2480200+￥30.4668500+￥30.27151000+￥30.07622500+￥29.85305000+￥29.71357500+￥29.5740 -
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品类: IGBT晶体管描述: 沟槽场截止 259W 1.25kV 40A79965+￥30.891550+￥29.5714200+￥28.8321500+￥28.64731000+￥28.46242500+￥28.25125000+￥28.11927500+￥27.9872 -
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品类: IGBT晶体管描述: 600V,50A截止型IGBT69851+￥46.012310+￥43.3723100+￥41.4111250+￥41.1094500+￥40.80761000+￥40.46822500+￥40.16655000+￥39.9779 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 30A 3Pin(3+Tab) TO-24730955+￥32.472250+￥31.0845200+￥30.3074500+￥30.11311000+￥29.91882500+￥29.69685000+￥29.55807500+￥29.4192 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGW40N120KD 单晶体管, IGBT, 80 A, 2.8 V, 240 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚36265+￥23.759250+￥22.7438200+￥22.1752500+￥22.03311000+￥21.89092500+￥21.72855000+￥21.62707500+￥21.5254 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IKW15N120H3 单晶体管, IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚33975+￥23.163750+￥22.1738200+￥21.6194500+￥21.48081000+￥21.34222500+￥21.18395000+￥21.08497500+￥20.9859 -
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品类: IGBT晶体管描述: 在NPT技术的快速IGBT Fast IGBT in NPT-technology80435+￥11.799550+￥11.2952200+￥11.0128500+￥10.94221000+￥10.87162500+￥10.79105000+￥10.74057500+￥10.6901 -
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品类: IGBT晶体管描述: HB 系列 650 V 80 A 高速 沟槽栅场截止 IGBT - Max24748761+￥94.891110+￥90.7654100+￥90.0228250+￥89.4452500+￥88.53751000+￥88.12502500+￥87.54745000+￥87.0523
